光刻胶是清华集成电路芯片大规模制作的关键质料。可是大学度光，较低的超高措施光/电子能量转换功能严正限度了光刻胶的产量。硫醇-烯反映作为一种光激发的感光逍遥基加成反映，由于其极高的刻胶功能，在化学规模被普遍称为点击化学。制备质料清华大学核能与新能源技术钻研院新型能源与质料化学团队介绍了一种运用快捷硫醇-烯点击化学实现超高效纳米制作的清华点击光刻策略。这种经由实现超高功能性质料妄想而增长的大学度光新措施可能在极低的深紫概况露剂量（好比7.5 mJ cm^–2）下对于含金属纳米团簇妨碍高比力度成像，这与传统的超高措施光刻胶系统比照所需曝光剂量低10-20倍。同时，感光运用电子束光刻也在低剂量下取患了45nm的刻胶密集图形，揭示了这种措施在高分说率图形化中的制备质料重大后劲。该钻研服从揭示了点击光刻的清华高锐敏度以及高分说率特色，为未来的大学度光光刻妄想提供了灵感。上述钻研下场以Exceptional Light Sensitivity by Thiol–Ene Click Lithography为题宣告在Journal of the American Chemical Society上。超高措施论文的配合通讯作者为清华大学核能与新能源技术钻研院新型能源与质料化学试验室徐宏副教授以及何向明钻研员，第一作者为清华大学博士后王倩倩。

【数据概览】

图1.点击光刻策略展现图

图2.点击光刻服从

论文链接：

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/jacs.2c11887

本文参考内容：

https://www.tsinghua.edu.cn/info/1175/106918.htm